ПАТЕНТ: | |
ИЗОБРЕТЕНИЕ: |
Держатель для фиксации пластины затравочного монокристалла SiC в тигле |
АВТОРЫ: |
Афанасьев Алексей Валентинович, Быков Юрий Олегович, Ильин Владимир Алексеевич, Латникова Наталья Михайловна, Лебедев Андрей Олегович |
ПАТЕНТОБЛАДАТЕЛЬ: |
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» |
ДЛЯ ЧЕГО: |
для создания интегральных микросхем |
ИННОВАЦИЯ: | Слитки монокристаллического SiC обычно выращивают методом сублимации–конденсации, в соответствии с которым в ростовом тигле размещают напротив друг друга пластину затравочного монокристалла SiC (сверху) и источник карбида кремния (снизу). Для воспроизводимого получения качественных слитков монокристаллического SiC пластина затравочного монокристалла должна быть надежно закреплена в пространстве ростового тигля и при этом не испытывать механических напряжений, которые приведут к напряжениям в слитке монокристаллического карбида кремния, а те – в свою очередь вызовут возникновение большого количества структурных дефектов и деградацию выращенного слитка монокристаллического SiC. Пластина затравочного монокристалла обычно крепится к какому-то держателю, причем теплоотвод от обратной стороны пластины затравочного монокристалла SiC в каждой точке поверхности должен быть одинаков, в противном случае скорость роста в разных точках поверхности пластины затравочного монокристалла будет различной, и в растущем монокристаллическом слитке также возникают структурные дефекты. Предлагаемая в изобретении конструкция и используемых материалов держателя для фиксации пластины затравочного монокристалла SiC в тигле позволяет снизить уровень механических напряжений и количество дефектов в получаемых кристаллах карбида кремния. Держатель выполнен в виде втулки из графита, внутреннее отверстие которой имеет коническую форму с заданной величиной конусности. В свою очередь внутренняя поверхность втулки покрыта упругомягким материалом. |
СФЕРА ПРИМЕНЕНИЯ: |
силовая электроника |